高压集成电路和半导体电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211172626.1
申请日
2022-09-26
公开(公告)号
CN115360684B
公开(公告)日
2024-07-09
发明(设计)人
冯宇翔 谢荣才
申请人
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址
528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
IPC主分类号
H02H9/02
IPC分类号
H02H9/04 H02H5/04
代理机构
佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379
代理人
刘羽波
法律状态
授权
国省代码
广东省 佛山市
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共 50 条
[1]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN115360684A ,2022-11-18
[2]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN216981514U ,2022-07-15
[3]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114142436A ,2022-03-04
[4]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114142436B ,2025-06-27
[5]
高压集成电路、计数方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114785330B ,2025-07-08
[6]
高压集成电路、计数方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114785330A ,2022-07-22
[7]
高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114928022A ,2022-08-19
[8]
高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114928022B ,2024-11-15
[9]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 ;
蒋华杏 .
中国专利 :CN115149782B ,2024-04-05
[10]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 ;
蒋华杏 .
中国专利 :CN115149782A ,2022-10-04