高压集成电路和半导体电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111574519.7
申请日
2021-12-21
公开(公告)号
CN114142436A
公开(公告)日
2022-03-04
发明(设计)人
冯宇翔 左安超 张土明 谢荣才
申请人
申请人地址
528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
IPC主分类号
H02H712
IPC分类号
H02H310 H02H320 H02H305
代理机构
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719
代理人
陈建昌
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN216981514U ,2022-07-15
[2]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114142436B ,2025-06-27
[3]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 ;
蒋华杏 .
中国专利 :CN115149782B ,2024-04-05
[4]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 ;
蒋华杏 .
中国专利 :CN115149782A ,2022-10-04
[5]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN115360684B ,2024-07-09
[6]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN115360684A ,2022-11-18
[7]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
华庆 .
中国专利 :CN114826227A ,2022-07-29
[8]
高压集成电路和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
华庆 .
中国专利 :CN114826227B ,2025-10-17
[9]
高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114928022A ,2022-08-19
[10]
高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN114928022B ,2024-11-15