高压集成电路和半导体电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210270462.X

申请日：

2022-03-18

公开(公告)号：

CN114826227B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

冯宇翔华庆

申请人：

广东汇芯半导体有限公司

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一

IPC主分类号：

H03K17/567

IPC分类号：

H03K7/08 H02M1/08 H02M1/14 H02M7/44

代理机构：

深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719

代理人：

陈建昌

法律状态：

授权

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

华庆 .

中国专利 :CN114826227A ,2022-07-29

[2]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 ;

蒋华杏 .

中国专利 :CN115149782B ,2024-04-05

[3]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 ;

蒋华杏 .

中国专利 :CN115149782A ,2022-10-04

[4]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN216981514U ,2022-07-15

[5]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114142436A ,2022-03-04

[6]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114142436B ,2025-06-27

[7]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN115360684B ,2024-07-09

[8]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN115360684A ,2022-11-18

[9]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 .

中国专利 :CN115333342A ,2022-11-11

[10]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

张土明 ;

华庆 .

中国专利 :CN115037130A ,2022-09-09

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