高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210724951.8

申请日：

2022-06-24

公开(公告)号：

CN114928022B

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

冯宇翔谢荣才

申请人：

广东汇芯半导体有限公司

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一

IPC主分类号：

H02H3/10

IPC分类号：

H02H3/24 H02H5/04

代理机构：

佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379

代理人：

刘羽波;陈嘉琦

法律状态：

授权

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

高压集成电路、过流保护电路方法和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114928022A ,2022-08-19

[2]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN115360684B ,2024-07-09

[3]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN115360684A ,2022-11-18

[4]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN216981514U ,2022-07-15

[5]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114142436A ,2022-03-04

[6]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

左安超 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114142436B ,2025-06-27

[7]

高压集成电路、计数方法和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114785330B ,2025-07-08

[8]

高压集成电路、计数方法和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN114785330A ,2022-07-22

[9]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 ;

蒋华杏 .

中国专利 :CN115149782B ,2024-04-05

[10]

高压集成电路和半导体电路 [P].

冯宇翔 ;

谢荣才 ;

蒋华杏 .

中国专利 :CN115149782A ,2022-10-04

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