套刻标记、光学像差评价方法、套刻标记质量评价方法、套刻测量装置及方法以及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410234594.6
申请日
2024-03-01
公开(公告)号
CN118584758A
公开(公告)日
2024-09-03
发明(设计)人
李铉哲
申请人
奥路丝科技有限公司
申请人地址
韩国
IPC主分类号
G03F7/20
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
许静;宋海花
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
李铉哲 .
韩国专利 :CN117423684A ,2024-01-19
[2]
套刻标记结构、光罩、套刻标记方法及套刻偏移检测方法 [P]. 
石敦山 .
中国专利 :CN118377195A ,2024-07-23
[3]
套刻标记及测量方法 [P]. 
刘华龙 ;
张祥平 .
中国专利 :CN117577633A ,2024-02-20
[4]
套刻标记及测量方法 [P]. 
刘华龙 ;
张祥平 .
中国专利 :CN117577633B ,2024-04-05
[5]
一种套刻对准标记结构、套刻对准测量方法及半导体器件 [P]. 
徐文超 ;
吴振国 ;
杨超 ;
柳波 ;
轩攀登 .
中国专利 :CN111312691B ,2020-06-19
[6]
基于衍射的套刻测量标记、套刻测量方法和测量装置 [P]. 
蒋运涛 .
中国专利 :CN106959587A ,2017-07-18
[7]
半导体器件的套刻标记及其使用方法 [P]. 
梁时元 ;
刘智龙 ;
贺晓彬 ;
李亭亭 ;
刘金彪 .
中国专利 :CN114005810A ,2022-02-01
[8]
套刻对准标记结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
夏云升 .
中国专利 :CN117673042A ,2024-03-08
[9]
套刻测量装置和套刻测量方法 [P]. 
崔圣润 ;
金善均 .
韩国专利 :CN119105241A ,2024-12-10
[10]
套刻校正方法和包括套刻校正方法的半导体器件制造方法 [P]. 
李在镒 ;
罗暻朝 .
韩国专利 :CN118642333A ,2024-09-13