套刻标记结构、光罩、套刻标记方法及套刻偏移检测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410585419.1
申请日
2024-05-11
公开(公告)号
CN118377195A
公开(公告)日
2024-07-23
发明(设计)人
石敦山
申请人
重庆万国半导体科技有限公司
申请人地址
400713 重庆市北碚区悦复大道288号
IPC主分类号
G03F7/20
IPC分类号
G03F1/42 G03F1/80
代理机构
重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221
代理人
刘念芝
法律状态
实质审查的生效
国省代码
重庆市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
套刻标记结构及光罩 [P]. 
石敦山 .
中国专利 :CN222337461U ,2025-01-10
[2]
套刻标记及套刻精度检测方法 [P]. 
栾会倩 ;
吴长明 ;
姚振海 .
中国专利 :CN113093483A ,2021-07-09
[3]
套刻标记及测量方法 [P]. 
刘华龙 ;
张祥平 .
中国专利 :CN117577633A ,2024-02-20
[4]
套刻标记及测量方法 [P]. 
刘华龙 ;
张祥平 .
中国专利 :CN117577633B ,2024-04-05
[5]
套刻精度检测方法及套刻偏差补偿方法 [P]. 
柏耸 ;
马其梁 ;
宋涛 ;
沙沙 .
中国专利 :CN113093475A ,2021-07-09
[6]
套刻检测方法 [P]. 
祝君龙 .
中国专利 :CN117826547B ,2024-06-07
[7]
套刻检测方法 [P]. 
祝君龙 .
中国专利 :CN117826547A ,2024-04-05
[8]
套刻标记、光学像差评价方法、套刻标记质量评价方法、套刻测量装置及方法以及半导体器件的制造方法 [P]. 
李铉哲 .
韩国专利 :CN118584758A ,2024-09-03
[9]
一种套刻对准标记结构、套刻对准测量方法及半导体器件 [P]. 
徐文超 ;
吴振国 ;
杨超 ;
柳波 ;
轩攀登 .
中国专利 :CN111312691B ,2020-06-19
[10]
套刻偏差的检测结构及其制备方法、套刻偏差的检测方法 [P]. 
李朋 .
中国专利 :CN120559951A ,2025-08-29