半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311556368.1
申请日
2023-11-21
公开(公告)号
CN118632523A
公开(公告)日
2024-09-10
发明(设计)人
尹灿植 金钟珉 李基硕
申请人
三星电子株式会社
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
H10B63/10 H10B63/00
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
赵南;李竞飞
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置结构及半导体装置 [P]. 
伊藤弘造 ;
川本和弘 .
中国专利 :CN101257021A ,2008-09-03
[2]
半导体装置 [P]. 
西原信 .
日本专利 :CN117936482A ,2024-04-26
[3]
半导体装置 [P]. 
杨世怜 ;
李全一 ;
金彩姈 ;
李瑞河 .
韩国专利 :CN120434992A ,2025-08-05
[4]
半导体装置 [P]. 
牛成玉 ;
A·H·西蒙 ;
T·博洛姆 .
中国专利 :CN203659849U ,2014-06-18
[5]
半导体装置 [P]. 
童宇诚 ;
张钦福 .
中国专利 :CN217955857U ,2022-12-02
[6]
半导体装置 [P]. 
庄正吉 ;
游力蓁 ;
邱奕勋 ;
林佑明 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113725216A ,2021-11-30
[7]
半导体装置 [P]. 
村濑康裕 ;
芦峰智行 ;
中川博 .
中国专利 :CN111263978A ,2020-06-09
[8]
半导体装置 [P]. 
芦峰智行 ;
入江祐二 ;
村濑康裕 .
中国专利 :CN114503260A ,2022-05-13
[9]
半导体装置 [P]. 
樱井康智 ;
堀江裕 ;
铃木修吾 ;
伊见仁 ;
小山将央 .
日本专利 :CN120998919A ,2025-11-21
[10]
半导体装置 [P]. 
小幡进 ;
樋口和人 ;
佐野光雄 ;
田岛尚之 .
中国专利 :CN115117028A ,2022-09-27