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光学试验用装置及半导体试验装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010167792.7
申请日：
2020-03-11
公开(公告)号：
CN111913186B
公开(公告)日：
2024-08-27
发明(设计)人：
菅原聪洋 增田伸 樱井孝夫 松村英宜 关孝生
申请人：
株式会社爱德万测试
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G01S17/08
IPC分类号：
G01S7/481
代理机构：
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人：
张敬强;李平
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-08-27 授权 授权
共 50 条
[1]
光学试验用装置及半导体试验装置 [P]. 
菅原聪洋 ;
增田伸 ;
樱井孝夫 ;
松村英宜 ;
关孝生 .
中国专利 :CN111913186A ,2020-11-10
[2]
半导体试验装置 [P]. 
吉冈耕治 .
中国专利 :CN104094391A ,2014-10-08
[3]
半导体试验装置 [P]. 
丸山真生 .
中国专利 :CN105277865A ,2016-01-27
[4]
半导体试验装置 [P]. 
小南悟 .
日本专利 :CN119678057A ,2025-03-21
[5]
半导体试验装置 [P]. 
野中智己 .
中国专利 :CN103163441A ,2013-06-19
[6]
半导体试验装置 [P]. 
大岛英幸 .
中国专利 :CN1729400A ,2006-02-01
[7]
半导体试验装置 [P]. 
大岛英幸 .
中国专利 :CN100422756C ,2006-02-08
[8]
半导体集成电路试验装置 [P]. 
菅和成 .
中国专利 :CN1164762A ,1997-11-12
[9]
半导体器件试验装置及半导体器件试验系统 [P]. 
根本真 ;
小林义仁 ;
中村浩人 ;
大西武士 ;
池田浩树 .
中国专利 :CN1159227A ,1997-09-10
[10]
半导体器件试验装置及半导体器件试验系统 [P]. 
根本真 ;
小林义仁 ;
中村浩人 ;
大西武士 ;
池田浩树 .
中国专利 :CN1137508C ,1999-12-08
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