用于形成逻辑器件的氢等离子体处理

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410257836.3

申请日：

2024-03-06

公开(公告)号：

CN118610087A

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

杨宗翰刘震高勇谦迈克尔·S·杰克逊王荣钧

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/321

IPC分类号：

H01L21/3205 H01L21/768 C23C14/04 C23C14/58 C23C16/04 C23C16/56

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

利用氢等离子体处理的钨间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

岳诗雨 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN119790495A ,2025-04-08

[2]

氢等离子体分解 [P].

戴维·爱德华·迪根 ;

唐怡然 ;

尼尔·爱德华·塞思·查曼 ;

彼得·迈克尔·基利-洛佩斯 .

英国专利 :CN119604645A ,2025-03-11

[3]

天线、用于产生等离子体的电路，以及等离子体处理装置 [P].

李东协 ;

成德镛 ;

禹济宪 ;

金俸奭 ;

李柱昊 ;

全允珖 ;

赵贞贤 .

中国专利 :CN107979909A ,2018-05-01

[4]

等离子体处理装置和用于使用该等离子体处理装置制造半导体器件的方法 [P].

李志模 ;

金京善 ;

罗栋铉 ;

宋重泫 ;

申明修 ;

沈承辅 ;

尹贵玹 ;

李埈昊 ;

千雄振 ;

韩东锡 .

韩国专利 :CN119673735A ,2025-03-21

[5]

微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法 [P].

大见忠弘 ;

平山昌树 ;

须川成利 ;

后藤哲也 .

中国专利 :CN1945800A ,2007-04-11

[6]

微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法 [P].

大见忠弘 ;

平山昌树 ;

须川成利 ;

后藤哲也 .

中国专利 :CN1502121A ,2004-06-02

[7]

等离子体处理方法和等离子体处理系统 [P].

吉越大祐 ;

清水祐介 ;

田原慈 .

日本专利 :CN119173985A ,2024-12-20

[8]

用于等离子体处理腔室的等离子体屏 [P].

M·T·尼科尔斯 ;

I·尤瑟夫 ;

J·A·奥马利三世 ;

R·丁德萨 ;

S·E·巴巴扬 .

中国专利 :CN109643630A ,2019-04-16

[9]

用于等离子体处理设备的等离子体增强器 [P].

O·马斯勒 ;

H·埃伯勒 ;

P·格施文德 .

中国专利 :CN101233598B ,2008-07-30

[10]

等离子体处理的光伏器件 [P].

大卫·伊格尔沙姆 ;

安克·阿肯 .

中国专利 :CN101861213A ,2010-10-13

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