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半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410635678.0
申请日：
2024-05-22
公开(公告)号：
CN118231347B
公开(公告)日：
2024-08-13
发明(设计)人：
周成
王厚有
杨军
杨昱霖
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L21/28
H01L27/088
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
姚姝娅
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
天津市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20240522 |
| 2024-08-13 | 授权 | 授权 |
| 2024-06-21 | 公开 | 公开 |