硅复合体的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080017244.4
申请日
2020-10-22
公开(公告)号
CN113508476B
公开(公告)日
2024-08-23
发明(设计)人
崔锺五 金旼宣 兪钟植
申请人
韩国金属硅股份公司
申请人地址
韩国江原道宁越郡宁越邑八槐1农工团地街21-28(邮递区号:26240)
IPC主分类号
H01M4/36
IPC分类号
H01M4/38 H01M4/62 H01M4/1395 H01M10/052
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
杨文娟;臧建明
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
硅复合体的制备方法 [P]. 
崔锺五 ;
金旼宣 ;
兪钟植 .
中国专利 :CN113508476A ,2021-10-15
[2]
非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置 [P]. 
崔锺五 ;
兪钟植 .
中国专利 :CN115348949A ,2022-11-15
[3]
硅碳复合负极材料的制备方法及其应用 [P]. 
冯茂华 ;
李长东 ;
吴星宇 ;
阮丁山 ;
刘宝烨 .
中国专利 :CN115072697A ,2022-09-20
[4]
硅母合金的制备方法和晶体制备方法 [P]. 
陈宗霆 ;
张华利 ;
汪晨 ;
张玲玲 ;
周洁 ;
耿浩浩 ;
赵玉兵 .
中国专利 :CN119747605A ,2025-04-04
[5]
硅锭的制备方法 [P]. 
李飞龙 ;
许涛 ;
翟传鑫 ;
蒋俊峰 ;
郭庆红 ;
张伟娜 ;
王珊珊 ;
仝姗姗 .
中国专利 :CN103014833A ,2013-04-03
[6]
硅锭的制备方法及硅锭 [P]. 
王全志 ;
孟庆超 ;
苏春阳 ;
甄良欣 ;
张莉沫 ;
夏新中 ;
潘明翠 ;
乔松 ;
窦伟军 .
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[7]
纳米硅的制备方法、硅基负极材料及其制备方法 [P]. 
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[8]
单晶硅的制备方法 [P]. 
松村尚 ;
坪田宽之 ;
永井勇太 ;
安部吉亮 .
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[9]
一种制备钙硅复合涂层的水浴浸渍方法 [P]. 
蔡舒 ;
江洋洋 ;
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凌瑞 ;
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[10]
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