单晶硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910048771.0

申请日：

2019-01-18

公开(公告)号：

CN110055582A

公开(公告)日：

2019-07-26

发明(设计)人：

松村尚坪田宽之永井勇太安部吉亮

申请人：

申请人地址：

日本新澙县

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;林毅斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-26	公开	公开
2019-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20190118
2021-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[2]

单晶硅的制备方法 [P].

宋程章 ;

马幼学 ;

武晓峰 ;

马玉花 .

中国专利 :CN118792729A ,2024-10-18

[3]

单晶硅的制备方法 [P].

富田真一 .

中国专利 :CN105780105A ,2016-07-20

[4]

单晶硅的制备方法和单晶硅 [P].

张玲玲 ;

张华利 ;

周声浪 ;

陈宗霆 ;

宋亚飞 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753819A ,2025-04-04

[5]

一种单晶硅的制备方法及单晶硅 [P].

陈永亮 ;

乔乐 ;

武辉 ;

付明全 ;

徐志群 .

中国专利 :CN119877082A ,2025-04-25

[6]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151817A ,2017-09-12

[7]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

[8]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151818A ,2017-09-12

[9]

单晶硅棒的制备方法 [P].

宋克冉 ;

杨西虎 ;

颜玉峰 .

中国专利 :CN114086243A ,2022-02-25

[10]

用于制造单晶硅锭的方法、以及通过该制备方法制备的单晶硅锭 [P].

姜钟珉 ;

宋到原 .

中国专利 :CN107109686A ,2017-08-29

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