集成芯片、铁电存储器器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011629397.2

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN113380887B

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

杨柏峰林仲德杨世海林佑明赖昇志张志宇贾汉中

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H10B51/20 H10B51/30 H01L21/336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

集成芯片、铁电存储器器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

林仲德 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

赖昇志 ;

张志宇 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380887A ,2021-09-10

[2]

集成芯片、存储器器件及其形成方法 [P].

李璧伸 ;

金海光 ;

匡训冲 ;

蔡子中 ;

张耀文 .

中国专利 :CN113285018A ,2021-08-20

[3]

铁电存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

马礼修 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 .

中国专利 :CN113380825A ,2021-09-10

[4]

铁电存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

乔治奥斯韦理安尼堤斯 ;

马可范达尔 ;

杨世海 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113299662A ,2021-08-24

[5]

集成芯片、存储器器件及其形成方法 [P].

李璧伸 ;

金海光 ;

匡训冲 ;

蔡子中 ;

张耀文 .

中国专利 :CN113285018B ,2025-07-25

[6]

铁电存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

马礼修 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 .

中国专利 :CN113380825B ,2024-07-16

[7]

铁电存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380828A ,2021-09-10

[8]

存储器件、集成芯片及其形成方法 [P].

金海光 ;

吴启明 ;

林杏莲 ;

蔡子中 ;

江法伸 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN112447904A ,2021-03-05

[9]

存储器件、集成芯片及其形成方法 [P].

金海光 ;

吴启明 ;

林杏莲 ;

蔡子中 ;

江法伸 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN112447904B ,2025-04-08

[10]

集成芯片、存储器件及其形成方法 [P].

江法伸 ;

蔡正原 ;

金海光 ;

林杏莲 ;

匡训冲 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN113113533A ,2021-07-13

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