存储器件、集成芯片及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010652708.0

申请日：

2020-07-08

公开(公告)号：

CN112447904B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

金海光吴启明林杏莲蔡子中江法伸李璧伸

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10B63/00

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

王素琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权
2025-06-10	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20200708授权公告日:20250408原专利权期满终止日:20400708现专利权期满终止日:20410408

共 50 条

[1]

存储器件、集成芯片及其形成方法 [P].

金海光 ;

吴启明 ;

林杏莲 ;

蔡子中 ;

江法伸 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN112447904A ,2021-03-05

[2]

集成芯片、存储器件及其形成方法 [P].

江法伸 ;

蔡正原 ;

金海光 ;

林杏莲 ;

匡训冲 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN113113533A ,2021-07-13

[3]

集成芯片、存储器件及其形成方法 [P].

江法伸 ;

蔡正原 ;

金海光 ;

林杏莲 ;

匡训冲 ;

李璧伸 .

中国专利 :CN113113533B ,2024-09-24

[4]

集成芯片、存储器器件及其形成方法 [P].

李璧伸 ;

金海光 ;

匡训冲 ;

蔡子中 ;

张耀文 .

中国专利 :CN113285018A ,2021-08-20

[5]

集成芯片、存储器器件及其形成方法 [P].

李璧伸 ;

金海光 ;

匡训冲 ;

蔡子中 ;

张耀文 .

中国专利 :CN113285018B ,2025-07-25

[6]

存储器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380827A ,2021-09-10

[7]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[8]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[9]

集成芯片、铁电存储器器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

林仲德 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

赖昇志 ;

张志宇 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380887A ,2021-09-10

[10]

集成芯片、铁电存储器器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

林仲德 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

赖昇志 ;

张志宇 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380887B ,2024-08-13

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