一种采用带斯格明子的铌酸锂材料制备电光调制器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410846554.7

申请日：

2024-06-27

公开(公告)号：

CN118759743A

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

余亚龙储涛

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G02F1/03

IPC分类号：

C30B33/04 C30B33/02 C30B29/30

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

陈升华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20240627
2024-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

基于铌酸锂材料的电光调制器 [P].

何云涛 ;

王磊 ;

杜英杰 ;

曹玉 .

中国专利 :CN206618914U ,2017-11-07

[2]

一种硅基铌酸锂混合电光调制器 [P].

戴道锌 ;

潘炳呈 .

中国专利 :CN112363331B ,2021-02-12

[3]

基于薄膜铌酸锂的电光调制器及其制备方法 [P].

万青 ;

赵蕊 ;

翁海中 .

中国专利 :CN119376125A ,2025-01-28

[4]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25

[5]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15

[6]

一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P].

张岚 ;

潘振辉 ;

许明 .

中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07

[7]

一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P].

尹志军 ;

叶志霖 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113900284A ,2022-01-07

[8]

一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 ;

史云玲 .

中国专利 :CN206133134U ,2017-04-26

[9]

一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 ;

史云玲 .

中国专利 :CN107957631A ,2018-04-24

[10]

一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835215B ,2021-05-25

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