一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410936736.3

申请日：

2024-07-12

公开(公告)号：

CN118653123A

公开(公告)日：

2024-09-17

发明(设计)人：

韩灿刘志斌高平奇张勇余仲

申请人：

中山大学深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

C23C14/28

IPC分类号：

C23C14/58 C23C14/08 C23C14/54 H01L31/18 H01L31/0224

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

齐键

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/28申请日:20240712
2024-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN105304732B ,2016-02-03

[2]

一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

刘生忠 ;

肖锋伟 ;

訾威 .

中国专利 :CN106048530A ,2016-10-26

[3]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[5]

多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

黄延伟 ;

李桂峰 .

中国专利 :CN101413099A ,2009-04-22

[6]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

[7]

复合透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

朱奕漪 ;

刘良玉 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN105140312B ,2015-12-09

[8]

一种透明导电氧化物薄膜制备设备 [P].

王凯 ;

姚栋 .

中国专利 :CN201339060Y ,2009-11-04

[9]

一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

李林华 ;

郝亚非 .

中国专利 :CN113913764A ,2022-01-11

[10]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

← 1 2 3 4 5 →