一种高性能n型近室温热电材料Bi<sub>2.1</sub>Te<sub>2</sub>Se及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410384179.9

申请日：

2024-04-01

公开(公告)号：

CN118284301A

公开(公告)日：

2024-07-02

发明(设计)人：

贾斐吴立明李蕾陈玲

申请人：

北京师范大学

申请人地址：

100088 北京市海淀区新街口外大街19号

IPC主分类号：

H10N10/852

IPC分类号：

H10N10/01 C01G29/00 C01B19/00

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

陈娟

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-02	公开	公开
2024-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/852申请日:20240401

共 50 条

[1]

一种室温热电材料Bi<sub>0.45</sub>Sb<sub>0.55</sub>Te<sub>1</sub>Se<sub>0.05</sub>及其制备方法 [P].

贾斐 ;

吴立明 ;

王雨萌 ;

陈玲 .

中国专利 :CN119365052A ,2025-01-24

[2]

一种掺杂的n型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P].

唐军 ;

罗凯怡 ;

陈浩文 .

中国专利 :CN118234359A ,2024-06-21

[3]

p型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的制备方法 [P].

吴翊 ;

何海龙 ;

虞珂 ;

纽春萍 ;

荣命哲 ;

田昊洋 .

中国专利 :CN116693292B ,2024-10-01

[4]

一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

闫宇 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12

[5]

一种宽温区高性能n型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基磁性纳米复合热电材料及其制备方法 [P].

刘启龙 ;

刘志愿 ;

毕文团 .

中国专利 :CN121202561A ,2025-12-26

[6]

一种掺杂纳米B的n型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P].

唐军 ;

唐昕远 .

中国专利 :CN118234358A ,2024-06-21

[7]

一种Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P].

栾巍 ;

刘海强 .

中国专利 :CN120736902A ,2025-10-03

[8]

一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

李金博 ;

袁东林 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29

[9]

一种高性能的n型Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料、其制备方法及应用 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

姜立峰 ;

陈荣春 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

张至柔 ;

王明亮 ;

咸经纬 ;

辛同正 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN120666236A ,2025-09-19

[10]

一种Zintl相热电材料BaCu<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>掺Se的制备方法 [P].

邵丽琪 ;

赵景泰 ;

杨凯钰 ;

李晓媛 .

中国专利 :CN118957336A ,2024-11-15

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