存储器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311571467.7

申请日：

2023-11-23

公开(公告)号：

CN118540937A

公开(公告)日：

2024-08-23

发明(设计)人：

柳民泰崔秉德柳成原李元锡刘龙尚

申请人：

三星电子株式会社汉阳大学校产学协力团

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

G11C11/4091 G11C11/4097 G11C11/408 G11C11/4074

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;李竞飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821B ,2024-12-24

[2]

存储器装置和半导体装置 [P].

盐野入丰 ;

三宅博之 ;

加藤清 .

中国专利 :CN105047669A ,2015-11-11

[3]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116A ,2021-10-22

[4]

存储器装置和半导体装置 [P].

盐野入丰 ;

三宅博之 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102656691A ,2012-09-05

[5]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821A ,2021-09-10

[6]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116B ,2024-08-02

[7]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[8]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[9]

存储器单元及存储器阵列 [P].

苏拉吉·J·马修 ;

克里斯·K·布朗 ;

拉古纳特·辛噶纳马拉 ;

维纳伊·奈尔 ;

福阿德·艾哈迈德 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

迪姆·提·N·德兰 .

中国专利 :CN109155310A ,2019-01-04

[10]

存储器单元及存储器阵列 [P].

S·J·马修 ;

R·辛噶纳马拉 ;

F·艾哈迈德 ;

K·K·布朗 ;

V·奈尔 ;

G·杨 ;

F·A·席赛克-艾吉 ;

D·T·N·德兰 .

中国专利 :CN109155311A ,2019-01-04

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