硅蚀刻剂组合物和使用该组合物形成图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410198348.X

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN118530724A

公开(公告)日：

2024-08-23

发明(设计)人：

鲁珍圭安奎相尹嚆重

申请人：

东友精细化工有限公司

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

C09K13/00

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/308 H01L21/306

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;钟海胜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	公开	公开
2024-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/00申请日:20240222

共 50 条

[1]

硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法 [P].

全唱守 ;

吴政玟 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

鲁珍圭 ;

尹嚆重 ;

申东雲 .

中国专利 :CN111410963A ,2020-07-14

[2]

绝缘层蚀刻剂组合物和使用该绝缘层蚀刻剂组合物形成图案的方法 [P].

李恩姃 ;

崔汉永 ;

金炳默 ;

金泰熙 ;

金正桓 .

中国专利 :CN110157434A ,2019-08-23

[3]

蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法 [P].

朴种熙 ;

金基泰 ;

金真锡 ;

金奎布 ;

申贤哲 ;

李大雨 ;

李相赫 .

中国专利 :CN110387545B ,2019-10-29

[4]

用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物和使用其的图案的制备方法 [P].

禹熙锡 ;

安奎相 ;

吴政玟 ;

金志原 ;

鲁珍圭 ;

尹嚆重 ;

裵相元 ;

成敬模 .

韩国专利 :CN118421318A ,2024-08-02

[5]

蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示设备的方法 [P].

朴种熙 ;

金眞锡 ;

权五柄 ;

南基龙 ;

尹暎晋 ;

李昔准 ;

李原昊 .

中国专利 :CN113981448A ,2022-01-28

[6]

蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法 [P].

朴种熙 ;

金真锡 ;

李凤源 ;

金基泰 ;

金奎佈 ;

申贤哲 ;

李大雨 ;

李秉雄 ;

李相赫 .

中国专利 :CN109811344B ,2019-05-28

[7]

蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物的布线的形成方法 [P].

朴种熙 ;

金真锡 ;

李凤源 ;

金相佑 ;

朴一龙 ;

元凤渊 ;

李大雨 .

中国专利 :CN109112543B ,2019-01-01

[8]

蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法 [P].

金俸均 ;

金镇奭 ;

沈承辅 ;

崔新革 ;

金承熙 ;

李栋熙 ;

金奎佈 ;

申贤哲 ;

李大雨 ;

李秉雄 ;

李相赫 .

中国专利 :CN111270236A ,2020-06-12

[9]

抗蚀剂底层组合物和使用该组合物形成图案的方法 [P].

李恩受 ;

白载烈 ;

黄丙奎 ;

阵和英 ;

金秀贞 ;

金圣振 ;

曹雅罗 ;

崔有廷 ;

郑盛宇 ;

林昌模 ;

权纯亨 .

韩国专利 :CN119882348A ,2025-04-25

[10]

绝缘层蚀刻剂组合物和使用其形成图案的方法 [P].

金正桓 ;

李恩姃 ;

金炳默 ;

金泰熙 ;

李承傭 ;

崔汉永 .

中国专利 :CN109841511A ,2019-06-04

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