刻蚀工艺中去除反应副产物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410413948.3

申请日：

2024-04-08

公开(公告)号：

CN118448254A

公开(公告)日：

2024-08-06

发明(设计)人：

沈恺崔艳雷冯大贵余鹏孙建杨佳霖方安琪吕梅

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/683

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-06	公开	公开
2024-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20240408

共 50 条

[1]

反应副产物的去除方法 [P].

姚恒山 ;

沈子扬 ;

张路 ;

罗魁 ;

吕磊 .

中国专利 :CN118919449A ,2024-11-08

[2]

去除刻蚀副产物的方法及刻蚀设备 [P].

罗来青 ;

苗果 ;

蔡文超 .

中国专利 :CN117334573A ,2024-01-02

[3]

从电镀溶液中去除副产物 [P].

约瑟夫·理查森 ;

申宰 ;

杰雅维尔·维尔姆鲁根 ;

伊丽莎白·卡洛拉 ;

托马斯·阿南德·波努司瓦米 ;

史蒂文·T·迈耶 .

中国专利 :CN114364827A ,2022-04-15

[4]

从电镀溶液中去除副产物 [P].

约瑟夫·理查森 ;

申宰 ;

杰雅维尔·维尔姆鲁根 ;

伊丽莎白·卡洛拉 ;

托马斯·阿南德·波努司瓦米 ;

史蒂文·T·迈耶 .

美国专利 :CN114364827B ,2024-12-31

[5]

反应室内副产物的处理方法 [P].

肖中强 .

中国专利 :CN102087958B ,2011-06-08

[6]

减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法 [P].

宋冬门 ;

李君 ;

夏余平 ;

刘开源 ;

王二伟 .

中国专利 :CN109360789A ,2019-02-19

[7]

去除水中消毒副产物的方法 [P].

韩健健 ;

陈顺权 .

中国专利 :CN105858955A ,2016-08-17

[8]

低聚反应副产物的处理方法 [P].

白世元 ;

李政锡 ;

宋宗勳 ;

黃文燮 ;

朴根兌 .

韩国专利 :CN120303229A ,2025-07-11

[9]

抛光装置及抛光副产物的去除方法 [P].

陈枫 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102806525B ,2012-12-05

[10]

去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法 [P].

黄瑞轩 .

中国专利 :CN107369603A ,2017-11-21

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