去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610315861.8

申请日：

2016-05-12

公开(公告)号：

CN107369603A

公开(公告)日：

2017-11-21

发明(设计)人：

黄瑞轩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 37/32 申请公布日:20171121
2017-11-21	公开	公开
2017-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20160512

共 50 条

[1]

去除刻蚀副产物的方法及刻蚀设备 [P].

罗来青 ;

苗果 ;

蔡文超 .

中国专利 :CN117334573A ,2024-01-02

[2]

刻蚀工艺中去除反应副产物的方法 [P].

沈恺 ;

崔艳雷 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

孙建 ;

杨佳霖 ;

方安琪 ;

吕梅 .

中国专利 :CN118448254A ,2024-08-06

[3]

减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法 [P].

宋冬门 ;

李君 ;

夏余平 ;

刘开源 ;

王二伟 .

中国专利 :CN109360789A ,2019-02-19

[4]

反应副产物的去除方法 [P].

姚恒山 ;

沈子扬 ;

张路 ;

罗魁 ;

吕磊 .

中国专利 :CN118919449A ,2024-11-08

[5]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

侯潇 ;

何欢 ;

王秉国 ;

高勇强 ;

李寒骁 .

中国专利 :CN112164649A ,2021-01-01

[6]

半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法 [P].

魏晓秀 ;

郭磊 ;

杨宇新 ;

崔虎山 ;

许开东 .

中国专利 :CN120221409A ,2025-06-27

[7]

金属干法刻蚀后光刻胶及刻蚀副产物的去除方法 [P].

李明浩 .

中国专利 :CN118248530A ,2024-06-25

[8]

半导体设备的副产物收集装置及半导体设备 [P].

陈建升 ;

闫士泉 .

中国专利 :CN114100183A ,2022-03-01

[9]

去除水中消毒副产物的方法 [P].

韩健健 ;

陈顺权 .

中国专利 :CN105858955A ,2016-08-17

[10]

半导体工艺的反应副产物收集装置 [P].

赵宰孝 ;

孙平憙 ;

金睿真 ;

金智洙 .

中国专利 :CN111223790A ,2020-06-02

← 1 2 3 4 5 →