共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311826996.7
申请日：
2023-12-27
公开(公告)号：
CN120221409A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
魏晓秀
郭磊
杨宇新
崔虎山
许开东
申请人：
江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请人地址：
221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号
IPC主分类号：
H01L21/311
IPC分类号：
H01J37/32
B08B9/08
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
河北省
衡水市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-27 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20231227 |