一种氧化镓单晶片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111308106.4

申请日：

2021-11-05

公开(公告)号：

CN114012917B

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

苏州燎塬半导体有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号（凤凰科技创业园F幢6层）

IPC主分类号：

H01L21/463

IPC分类号：

B28D5/04 B28D5/00 B24B37/04 B24B29/02

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

薛异荣

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化镓单晶片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114012917A ,2022-02-08

[2]

氧化镓单晶制备方法 [P].

张胜男 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

王喆垚 ;

周金杰 ;

董增印 ;

李晖 ;

张嵩 ;

程红娟 .

中国专利 :CN119221101A ,2024-12-31

[3]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[4]

一种氧化镓单晶片加工用CMP抛光液及其制备方法 [P].

郭晨丽 ;

李保龙 .

中国专利 :CN115386301A ,2022-11-25

[5]

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114381800B ,2024-09-20

[6]

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114381800A ,2022-04-22

[7]

一种氧化镓单晶的生长方法 [P].

霍晓青 ;

张胜男 ;

王英民 ;

文皓 ;

周金杰 ;

高飞 ;

李晖 ;

程红娟 ;

赖占平 .

中国专利 :CN119265687A ,2025-01-07

[8]

氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法 [P].

唐为华 ;

李山 .

中国专利 :CN114086249A ,2022-02-25

[9]

一种氧化镓单晶用的研磨垫及其制备方法 [P].

黄传锦 ;

周海 ;

顾斌 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN106272035A ,2017-01-04

[10]

一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法 [P].

康黎星 ;

刘帅 ;

张蓉 ;

李清文 .

中国专利 :CN116024545B ,2025-09-09

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