单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备

被引：0

申请号：

CN202210135660.5

申请日：

2022-02-14

公开(公告)号：

CN114381800A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号（凤凰科技创业园F幢6层）

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2916

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

薛异荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	公开	公开
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20220214

共 50 条

[1]

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114381800B ,2024-09-20

[2]

一种用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN217203059U ,2022-08-16

[3]

氧化镓单晶制备方法 [P].

张胜男 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

王喆垚 ;

周金杰 ;

董增印 ;

李晖 ;

张嵩 ;

程红娟 .

中国专利 :CN119221101A ,2024-12-31

[4]

氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底 [P].

会田英雄 ;

西口健吾 ;

小山浩司 ;

池尻宪次朗 ;

中村元一 .

中国专利 :CN104220650A ,2014-12-17

[5]

可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法 [P].

肖洪地 ;

赵冲冲 ;

杨小坤 ;

刘杰 .

中国专利 :CN112309832B ,2021-02-02

[6]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[7]

一种氧化镓单晶片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114012917A ,2022-02-08

[8]

一种氧化镓单晶片的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114012917B ,2024-10-15

[9]

氧化镓单晶生长炉 [P].

肖迪 .

中国专利 :CN111893574A ,2020-11-06

[10]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法 [P].

潘明艳 ;

纪为国 ;

姜博文 ;

范骐鸣 ;

张璐 ;

吕聪 ;

吴逸晨 ;

齐红基 ;

赛青林 ;

贾宁 ;

王斌 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN119980444A ,2025-05-13

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