可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010998919.X

申请日：

2020-09-22

公开(公告)号：

CN112309832B

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

肖洪地赵冲冲杨小坤刘杰

申请人：

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2516 C30B2518 C30B2916

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

王楠

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	授权	授权
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200922
2021-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

可转移的大尺寸氧化镓薄膜的制备方法 [P].

宁静 ;

张雨轩 ;

冯倩 ;

张进成 ;

王东 ;

焦鹏 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113969423A ,2022-01-25

[2]

制备氮化镓单晶薄膜的方法 [P].

陈弘 ;

韩英军 ;

周均铭 ;

于洪波 ;

黄绮 .

中国专利 :CN1500919A ,2004-06-02

[3]

具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法 [P].

曹得重 ;

郭正全 ;

高望欣 ;

王赫 ;

骆恬恬 ;

王菲斐 ;

第五淯暄 ;

马丽 ;

王森 .

中国专利 :CN118712300A ,2024-09-27

[4]

具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法 [P].

曹得重 ;

郭正全 ;

高望欣 ;

王赫 ;

骆恬恬 ;

王菲斐 ;

第五淯暄 ;

马丽 ;

王森 .

中国专利 :CN118712300B ,2025-10-03

[5]

一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法 [P].

马瑾 ;

孔令沂 ;

栾彩娜 .

中国专利 :CN101967680B ,2011-02-09

[6]

氧化镓单晶制备方法 [P].

张胜男 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

王喆垚 ;

周金杰 ;

董增印 ;

李晖 ;

张嵩 ;

程红娟 .

中国专利 :CN119221101A ,2024-12-31

[7]

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114381800B ,2024-09-20

[8]

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114381800A ,2022-04-22

[9]

一种氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓外延薄膜 [P].

孟标 ;

魏强民 ;

黄俊 ;

杨冰 .

中国专利 :CN118127630A ,2024-06-04

[10]

一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

王一凡 ;

夏静 ;

李玄泽 .

中国专利 :CN114864377B ,2025-05-23

← 1 2 3 4 5 →