一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110154408.4

申请日：

2021-02-04

公开(公告)号：

CN114864377B

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

孟祥敏王一凡夏静李玄泽

申请人：

中国科学院理化技术研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/683 C23C16/01 C23C16/30 C23C16/448

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

高东丽

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

王一凡 ;

夏静 ;

李玄泽 .

中国专利 :CN114864377A ,2022-08-05

[2]

一种单层二硒化钨单晶薄膜的制备方法 [P].

史建平 ;

杜翥 ;

伍嘉良 .

中国专利 :CN121023633A ,2025-11-28

[3]

可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法 [P].

肖洪地 ;

赵冲冲 ;

杨小坤 ;

刘杰 .

中国专利 :CN112309832B ,2021-02-02

[4]

一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法 [P].

刘东方 ;

张伟 ;

陈小源 ;

杨辉 ;

王聪 ;

鲁林峰 ;

李东栋 ;

方小红 ;

李明 ;

杨康 ;

王旭洪 .

中国专利 :CN104143496A ,2014-11-12

[5]

制备氮化镓单晶薄膜的方法 [P].

陈弘 ;

韩英军 ;

周均铭 ;

于洪波 ;

黄绮 .

中国专利 :CN1500919A ,2004-06-02

[6]

一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法 [P].

王金忠 ;

张殷泽 ;

赵晨晨 ;

王东博 .

中国专利 :CN115418716B ,2024-01-30

[7]

一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法 [P].

王金忠 ;

张殷泽 ;

赵晨晨 ;

王东博 .

中国专利 :CN115418716A ,2022-12-02

[8]

一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法 [P].

徐小志 ;

陈俊汀 .

中国专利 :CN117512556B ,2025-10-21

[9]

一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法 [P].

徐小志 ;

陈俊汀 .

中国专利 :CN117512556A ,2024-02-06

[10]

一种碳化硅单晶薄膜的制备方法 [P].

李强 ;

黄维 ;

伊艾伦 ;

欧欣 ;

许金时 ;

李传锋 .

中国专利 :CN109659221A ,2019-04-19

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