半导体装置、电容器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010546221.4

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN112420925B

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

陈伟庭蔡宗翰庄坤苍王柏仁陈英豪黄坚诚

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10N97/00

IPC分类号：

H01L23/64

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置、电容器结构及其形成方法 [P].

陈伟庭 ;

蔡宗翰 ;

庄坤苍 ;

王柏仁 ;

陈英豪 ;

黄坚诚 .

中国专利 :CN112420925A ,2021-02-26

[2]

半导体电容器结构及其形成方法 [P].

江红 ;

孔蔚然 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102214702B ,2011-10-12

[3]

电容器结构及其形成方法、半导体装置及其制造方法 [P].

朴成律 ;

蒋在完 ;

金洙焕 ;

金铉埈 .

中国专利 :CN113130750A ,2021-07-16

[4]

电容器晶片、半导体结构及其形成方法 [P].

张任远 ;

赖佳平 ;

李建璋 .

中国专利 :CN115440884A ,2022-12-06

[5]

半导体结构及电容器结构的形成方法 [P].

刘涛 ;

夏军 ;

占康澍 ;

李森 ;

徐朋辉 ;

宛强 .

中国专利 :CN115588661A ,2023-01-10

[6]

电容器、半导体器件及其形成方法 [P].

陈轶群 ;

蒲贤勇 ;

陈宗高 ;

王刚宁 ;

王海强 .

中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10

[7]

深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法 [P].

郭富强 .

中国专利 :CN115528004A ,2022-12-27

[8]

深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法 [P].

刘铭棋 ;

张宇行 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN114121903A ,2022-03-01

[9]

深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法 [P].

刘铭棋 ;

张宇行 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN114121903B ,2025-10-21

[10]

电容器结构及其形成方法 [P].

钟伟纶 ;

陈重磊 ;

郑安皓 ;

李建纬 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN119069543A ,2024-12-03

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