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深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110228698.2
申请日：
2021-03-02
公开(公告)号：
CN114121903B
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
刘铭棋
张宇行
刘世昌
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号：
H01L23/64
IPC分类号：
H01L23/538
H01L21/768
H10B12/00
代理机构：
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人：
顾伯兴
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-21 | 授权 | 授权 |
| 2025-12-16 | 专利权期限的补偿 | 专利权期限补偿IPC(主分类):H01L 23/64申请日:20210302授权公告日:20251021原专利权期满终止日:20410302现专利权期满终止日:20411021 |