深沟槽电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211203210.1

申请日：

2022-09-29

公开(公告)号：

CN115425006B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

赵常宝叶国梁胡胜

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/64 H10N97/00

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

张亚静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权
2024-06-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 23/522变更事项:申请人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

共 50 条

[1]

深沟槽电容器及其制造方法 [P].

赵常宝 ;

叶国梁 ;

胡胜 .

中国专利 :CN115425006A ,2022-12-02

[2]

深沟槽电容器 [P].

陈志明 ;

王嗣裕 ;

喻中一 .

中国专利 :CN104253019B ,2014-12-31

[3]

具有扇形轮廓的深沟槽电容器 [P].

颜翠玲 ;

倪其聪 ;

张瑞鸿 ;

罗耀聘 .

中国专利 :CN107017237B ,2017-08-04

[4]

深沟槽电容器及其制备方法 [P].

代佳 ;

刘恩峰 ;

冯喆 ;

邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN118524777A ,2024-08-20

[5]

深沟槽电容器及其制备方法 [P].

代佳 ;

刘恩峰 ;

冯喆 ;

邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN118284327A ,2024-07-02

[6]

一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法 [P].

王笑怡 ;

陈立均 ;

宋义 .

中国专利 :CN119342843A ,2025-01-21

[7]

深沟槽电容器结构的制造方法 [P].

尼基·L·埃德莱曼 ;

理查德·S·怀斯 .

中国专利 :CN1601696A ,2005-03-30

[8]

深沟槽去耦电容器器件及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

W·F·埃里斯 ;

金德起 ;

P·C·帕里斯 ;

J·E·法尔特迈尔 ;

J·E·小巴思 ;

B·A·安德森 ;

S·伊耶 ;

R·W·曼 ;

R·迪瓦卡茹尼 .

中国专利 :CN100466263C ,2006-06-28

[9]

深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法 [P].

刘铭棋 ;

张宇行 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN114121903A ,2022-03-01

[10]

深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法 [P].

刘铭棋 ;

张宇行 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN114121903B ,2025-10-21

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