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一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411436712.8
申请日：
2024-10-15
公开(公告)号：
CN119342843A
公开(公告)日：
2025-01-21
发明(设计)人：
王笑怡 陈立均 宋义
申请人：
苏州森丸电子技术有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号3号楼
IPC主分类号：
H10D1/68
IPC分类号：
代理机构：
苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246
代理人：
于浩江
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20241015
2025-01-21 公开 公开
共 50 条
[1]
深沟槽电容器 [P]. 
陈志明 ;
王嗣裕 ;
喻中一 .
中国专利 :CN104253019B ,2014-12-31
[2]
一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器 [P]. 
张栋山 ;
刘瑞盛 ;
喻涛 ;
蒋信 ;
余纪文 ;
刘永沛 .
中国专利 :CN119584553A ,2025-03-07
[3]
一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器 [P]. 
薛翔宇 ;
明帅强 ;
李明 ;
王浙加 .
中国专利 :CN119894007A ,2025-04-25
[4]
深沟槽电容器及其制备方法 [P]. 
代佳 ;
刘恩峰 ;
冯喆 ;
邵华 ;
李敏 .
中国专利 :CN118524777A ,2024-08-20
[5]
深沟槽电容器及其制备方法 [P]. 
代佳 ;
刘恩峰 ;
冯喆 ;
邵华 ;
李敏 .
中国专利 :CN118284327A ,2024-07-02
[6]
深沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
赵常宝 ;
叶国梁 ;
胡胜 .
中国专利 :CN115425006A ,2022-12-02
[7]
深沟槽电容器及制备方法 [P]. 
代佳 ;
刘恩峰 ;
冯喆 ;
邵华 ;
李敏 .
中国专利 :CN118448400A ,2024-08-06
[8]
深沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
赵常宝 ;
叶国梁 ;
胡胜 .
中国专利 :CN115425006B ,2025-02-07
[9]
一种深沟槽硅电容器及其制备方法 [P]. 
陈劲中 ;
吴迪 .
中国专利 :CN119486152A ,2025-02-18
[10]
深沟槽电容器结构的制造方法 [P]. 
尼基·L·埃德莱曼 ;
理查德·S·怀斯 .
中国专利 :CN1601696A ,2005-03-30
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