一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411676075.1

申请日：

2024-11-21

公开(公告)号：

CN119584553A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

张栋山刘瑞盛喻涛蒋信余纪文刘永沛

申请人：

普赛微科技（杭州）有限公司

申请人地址：

310006 浙江省杭州市临安区青山湖街道滨河路17号7幢

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

代理机构：

杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401

代理人：

娄聪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20241121
2025-03-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器 [P].

薛翔宇 ;

明帅强 ;

李明 ;

王浙加 .

中国专利 :CN119894007A ,2025-04-25

[2]

深沟槽电容器 [P].

陈志明 ;

王嗣裕 ;

喻中一 .

中国专利 :CN104253019B ,2014-12-31

[3]

一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法 [P].

王笑怡 ;

陈立均 ;

宋义 .

中国专利 :CN119342843A ,2025-01-21

[4]

深沟槽电容器及其制备方法 [P].

代佳 ;

刘恩峰 ;

冯喆 ;

邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN118524777A ,2024-08-20

[5]

深沟槽电容器及其制备方法 [P].

代佳 ;

刘恩峰 ;

冯喆 ;

邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN118284327A ,2024-07-02

[6]

深沟槽电容器及制备方法 [P].

代佳 ;

刘恩峰 ;

冯喆 ;

邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN118448400A ,2024-08-06

[7]

深沟槽电容器及其制造方法 [P].

赵常宝 ;

叶国梁 ;

胡胜 .

中国专利 :CN115425006A ,2022-12-02

[8]

深沟槽电容器及其制造方法 [P].

赵常宝 ;

叶国梁 ;

胡胜 .

中国专利 :CN115425006B ,2025-02-07

[9]

深沟槽电容器结构的制造方法 [P].

尼基·L·埃德莱曼 ;

理查德·S·怀斯 .

中国专利 :CN1601696A ,2005-03-30

[10]

集成深沟槽高K电容器和方法 [P].

Y·潘 ;

J·鲍尔 ;

P·马哈灵音 ;

K·迪舍 ;

A·阿里 ;

R·纳塔拉詹 .

美国专利 :CN120224773A ,2025-06-27

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