用于半导体器件的隔离背面触点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311810069.6

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN118693078A

公开(公告)日：

2024-09-24

发明(设计)人：

L·P·古勒尔 C·H·华莱士刘圣斯 S·阿查里亚

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L21/8234

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的背面触点 [P].

A·D·利拉克 ;

E·曼内巴赫 ;

A·潘 ;

R·E·申克尔 ;

S·A·博亚尔斯基 ;

W·拉赫马迪 ;

P·R·莫罗 ;

J·D·比勒费尔德 ;

G·杜威 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN111696957A ,2020-09-22

[2]

用于半导体器件的散热隔离结构 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·阿杜苏米利 ;

A·J·约瑟夫 .

中国专利 :CN114639644A ,2022-06-17

[3]

半导体器件中的触点 [P].

堀口直人 ;

A·希卡维 ;

S·德姆恩克 .

中国专利 :CN108231564A ,2018-06-29

[4]

半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件 [P].

河本裕介 ;

高本尚英 ;

志贺豪士 ;

浅井文辉 .

中国专利 :CN102376611A ,2012-03-14

[5]

半导体器件的隔离 [P].

许文义 ;

高敏峰 ;

刘人诚 ;

杨敦年 ;

许慈轩 ;

王文德 .

中国专利 :CN103681454A ,2014-03-26

[6]

用于制造半导体器件的触点的方法 [P].

丁寅权 .

中国专利 :CN1107969C ,1999-12-08

[7]

半导体器件的背面工艺制造方法及半导体器件 [P].

曹功勋 ;

孙金月 ;

齐化龙 ;

袁雷兵 .

中国专利 :CN120264787A ,2025-07-04

[8]

用于在半导体器件上制造电触点的方法 [P].

H·纳格尔 ;

W·施米特 ;

I·施沃特利克 ;

D·弗兰克 .

中国专利 :CN101958370B ,2011-01-26

[9]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[10]

半导体器件背面制造工艺 [P].

邓小社 ;

王根毅 ;

芮强 ;

张硕 .

中国专利 :CN104112680A ,2014-10-22

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