用于制造半导体器件的触点的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99107887.X

申请日：

1999-05-28

公开(公告)号：

CN1107969C

公开(公告)日：

1999-12-08

发明(设计)人：

丁寅权

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768 H01L2131 H01L213205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-05-07	授权	授权
1999-11-10	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2019-06-21	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:19990528 授权公告日:20030507
1999-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05

[2]

用于制造半导体器件的方法 [P].

山本贤一 ;

盛一正成 ;

岛根誉 ;

斉藤和美 ;

富盛浩昭 ;

伊藤孝政 ;

牛岛浩斉 ;

立山克郎 .

中国专利 :CN100442473C ,2006-09-27

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[6]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[7]

制造半导体器件的方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101350329A ,2009-01-21

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

山田顺治 ;

山田裕 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN1385894A ,2002-12-18

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

大冈丰 .

中国专利 :CN1933124A ,2007-03-21

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

钤木三惠子 .

中国专利 :CN1227403A ,1999-09-01

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