制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610153697.1

申请日：

2006-09-14

公开(公告)号：

CN1933124A

公开(公告)日：

2007-03-21

发明(设计)人：

大冈丰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-10	授权	授权
2007-03-21	公开	公开
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588051714 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006101536971 申请日:20060914 授权公告日:20081210 终止日期:20130914
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101350329A ,2009-01-21

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

山田顺治 ;

山田裕 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN1385894A ,2002-12-18

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

钤木三惠子 .

中国专利 :CN1227403A ,1999-09-01

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

张荣根 ;

金相德 .

中国专利 :CN100403515C ,2006-10-04

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

筑地优 .

中国专利 :CN1111905C ,1999-12-22

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

前岛洁志 ;

堀越孝太郎 ;

堀田胜彦 ;

高桥敏幸 ;

越智启典 ;

庄司健一 .

中国专利 :CN106252274B ,2016-12-21

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

伊泽光贵 .

中国专利 :CN101964322A ,2011-02-02

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN101388358B ,2009-03-18

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