半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810149007.4

申请日：

2005-09-28

公开(公告)号：

CN101388358B

公开(公告)日：

2009-03-18

发明(设计)人：

和泉宇俊

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺;冯志云

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20050928 授权公告日:20101208 终止日期:20210928
2010-12-08	授权	授权
2009-04-08	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县川崎市变更后:日本东京都登记生效日:20090306
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20200731 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体存储方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2009-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1877841A ,2006-12-13

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

长野能久 ;

伊东丰二 ;

今西贞之 ;

藤井英治 .

中国专利 :CN1244155C ,2004-03-31

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101350329A ,2009-01-21

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

山田顺治 ;

山田裕 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN1385894A ,2002-12-18

[7]

制造半导体器件的方法 [P].

大冈丰 .

中国专利 :CN1933124A ,2007-03-21

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

钤木三惠子 .

中国专利 :CN1227403A ,1999-09-01

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

张荣根 ;

金相德 .

中国专利 :CN100403515C ,2006-10-04

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

筑地优 .

中国专利 :CN1111905C ,1999-12-22

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