半导体器件的隔离

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210519773.1

申请日：

2012-12-06

公开(公告)号：

CN103681454A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

许文义高敏峰刘人诚杨敦年许慈轩王文德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581671461 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012105197731 申请日:20121206
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN113314608B ,2024-09-06

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

关恕 ;

沙哈吉·B·摩尔 ;

林千 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN113314418A ,2021-08-27

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN113314608A ,2021-08-27

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

吴以雯 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 ;

张长昀 ;

傅劲逢 ;

王鹏 .

中国专利 :CN110875252B ,2020-03-10

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

关恕 ;

沙哈吉·B·摩尔 ;

林千 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN113314418B ,2024-03-08

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

薛仁智 ;

洪志昌 ;

尹宗凡 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110660743A ,2020-01-07

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

彭成毅 ;

陈文园 ;

谢文兴 ;

许一如 ;

何炯煦 ;

李松柏 ;

田博仁 .

中国专利 :CN111128888B ,2020-05-08

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113284849B ,2025-05-27

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