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半导体样品的评价方法、半导体样品的评价装置及半导体晶片的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280074976.6
申请日：
2022-09-21
公开(公告)号：
CN118215991A
公开(公告)日：
2024-06-18
发明(设计)人：
麓秀斗
佐俣秀一
三次伯知
申请人：
胜高股份有限公司
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/66
IPC分类号：
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘茜璐;刘春元
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20220921 |
| 2024-06-18 | 公开 | 公开 |