单光子探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211060479.9

申请日：

2022-08-31

公开(公告)号：

CN115332384B

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

魏丹清

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L31/107

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/0236 H01L31/18

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

张亚静

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 31/107变更事项:申请人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
2024-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

单光子探测器及其制作方法 [P].

魏丹清 .

中国专利 :CN115332384A ,2022-11-11

[2]

单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列 [P].

孙维忠 ;

赵彦立 ;

陈振锋 ;

刘思远 ;

刘超 ;

邱姝颖 ;

孙久国 ;

陈文欣 .

中国专利 :CN113921646A ,2022-01-11

[3]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器 [P].

刘超晖 ;

刘冰 ;

兰潇健 ;

马静 .

中国专利 :CN119208429B ,2025-06-27

[4]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器 [P].

刘超晖 ;

刘冰 ;

兰潇健 ;

马静 .

中国专利 :CN119208429A ,2024-12-27

[5]

单光子探测器 [P].

张思远 ;

孙仕海 ;

赖廷钦 ;

梁晓琳 ;

郭俊彬 ;

田之宇 .

中国专利 :CN115219044B ,2025-06-27

[6]

单光子探测器及其制作方法、检测装置 [P].

吴炜东 .

中国专利 :CN119342919A ,2025-01-21

[7]

紫外单光子探测器 [P].

苏琳琳 ;

郁智豪 ;

杨成东 .

中国专利 :CN216719964U ,2022-06-10

[8]

一种单光子探测器及其制备方法 [P].

张月蘅 ;

沈文忠 ;

白鹏 .

中国专利 :CN109148636A ,2019-01-04

[9]

单光子雪崩二极管、光电探测器及其制作方法 [P].

刘超晖 ;

肖鹏 ;

颜林 .

中国专利 :CN120640791A ,2025-09-12

[10]

单光子雪崩探测器结构及其制作方法 [P].

苏蕊 ;

渠汇 .

中国专利 :CN118448482A ,2024-08-06

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