原子層堆積法による成膜方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230024296

申请日：

2023-02-20

公开(公告)号：

JP2024120193A

公开(公告)日：

2024-09-05

发明(设计)人：

YAMAUCHI AKIYOSHI MATSUNAGA TAKAYUKI KISHIKAWA YOSUKE HORIGUCHI KAZUTAKA NAKAMURA SHINGO KOSAKA SHIGEHITO SHIMOGAKI YUKIHIRO MOMOSE TAKESHI DEURA MOMOKO SATO NOBORU YAMAGUCHI JUN

申请人：

DAIKIN IND LTD UNIV TOKYO

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C16/448

IPC分类号：

C23C16/455

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

原子層堆積法による成膜方法[ja] [P].

日本专利 :JP7541305B1 ,2024-08-28

[2]

選択的原子層堆積方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021521639A ,2021-08-26

[3]

選択的原子層堆積方法[ja] [P].

BHASKAR JYOTI BHUYAN ;

MARK SALY ;

DAVID THOMPSON ;

TOBIN KAUFMAN-OSBORN ;

KURT FREDRICKSON ;

THOMAS KNISLEY ;

WU LIQI .

日本专利 :JP2022091739A ,2022-06-21

[4]

ケイ素含有膜の高温原子層堆積[ja] [P].

日本专利 :JP2022504232A ,2022-01-13

[5]

ｉｎ－ｓｉｔｕ原子層堆積プロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2022533388A ,2022-07-22

[6]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

日本专利 :JP2021507520A ,2021-02-22

[7]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

日本专利 :JP7698951B2 ,2025-06-26

[8]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

SWAMINATHAN SRINIVASAN ;

ABHIJIT MALLICK ;

NICOLAS BREIL .

日本专利 :JP2024150507A ,2024-10-23

[9]

原子層堆積法用薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019203035A1 ,2021-05-20

[10]

高温酸化ケイ素原子層堆積技術[ja] [P].

日本专利 :JP2017531920A ,2017-10-26

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