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半導体洗浄液および半導体洗浄液の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230535854
申请日
:
2023-02-07
公开(公告)号
:
JP7402385B1
公开(公告)日
:
2023-12-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009099138A1
,2011-05-26
[2]
半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009147948A1
,2011-10-27
[3]
金属配線用基板洗浄剤および半導体基板の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014168166A1
,2017-02-16
[4]
半導体基板用洗浄剤および半導体基板表面の処理方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015068823A1
,2017-03-09
[5]
半導体ウェーハの洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7517530B1
,2024-07-17
[6]
半導体用処理液および半導体素子の製造方法[ja]
[P].
SAITO KOHEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKUYAMA CORP
TOKUYAMA CORP
SAITO KOHEI
.
日本专利
:JP2024031955A
,2024-03-07
[7]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019093015A1
,2020-04-02
[8]
逆浸透膜の洗浄剤、洗浄液、および洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5910696B1
,2016-04-27
[9]
半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006009003A1
,2008-05-01
[10]
銅配線用基板洗浄剤及び銅配線半導体基板の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012073909A1
,2014-05-19
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