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酸化物ギャップ・フィルを用いる高密度メモリ・デバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230562654
申请日
:
2022-04-25
公开(公告)号
:
JP2024519447A
公开(公告)日
:
2024-05-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B63/00
IPC分类号
:
H10N50/80
H01L21/3065
H01L21/308
H01L29/82
H10B61/00
H10B63/10
H10N50/01
H10N50/10
H10N70/00
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2020505790A
,2020-02-20
[2]
メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023510877A
,2023-03-15
[3]
抵抗性スイッチング・メモリ・セル[ja]
[P].
日本专利
:JP2023549646A
,2023-11-29
[4]
ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料[ja]
[P].
日本专利
:JP2015515744A
,2015-05-28
[5]
NANDメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにNANDメモリ・アレイを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020526924A
,2020-08-31
[6]
メモリスティブ・デバイスおよびその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020509574A
,2020-03-26
[7]
メモリ・アレイ用の3Dスタック可能な双方向アクセス・デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024524831A
,2024-07-09
[8]
高密度バリア層を有する固体酸化物燃料電池[ja]
[P].
日本专利
:JP6311015B2
,2018-04-11
[9]
高密度バリア層を有する固体酸化物燃料電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2016520984A
,2016-07-14
[10]
酸化物スイッチング層を有するメモリスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6469215B2
,2019-02-13
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