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抵抗性スイッチング・メモリ・セル[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230522832
申请日
:
2021-11-03
公开(公告)号
:
JP2023549646A
公开(公告)日
:
2023-11-29
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B63/00
IPC分类号
:
H10N70/00
H10N70/20
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗スイッチング・メモリー素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010147073A1
,2012-12-06
[2]
抵抗スイッチングメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019509619A
,2019-04-04
[3]
不揮発性メモリ・セル、不揮発性メモリ・セル・アレイ、及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022537312A
,2022-08-25
[4]
メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172973A
,2025-11-26
[5]
メモリ・アレイ用の3Dスタック可能な双方向アクセス・デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024524831A
,2024-07-09
[6]
リチウム・ニッケル・コバルト酸化物及びリチウム・ニッケル・マンガン・コバルト酸化物カソード[ja]
[P].
日本专利
:JP5670905B2
,2015-02-18
[7]
酸化物スイッチング層を有するメモリスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6469215B2
,2019-02-13
[8]
酸化物スイッチング層を有するメモリスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2017534170A
,2017-11-16
[9]
酸化物ギャップ・フィルを用いる高密度メモリ・デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024519447A
,2024-05-14
[10]
メモリセルおよびメモリセルの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015508226A
,2015-03-16
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