高分子被覆した低誘電正接シリカゾル及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220110580
申请日
2022-07-08
公开(公告)号
JP2024008588A
公开(公告)日
2024-01-19
发明(设计)人
EBARA KAZUYA NAKADA TAKESHI TADOKORO SHINSUKE
申请人
NISSAN CHEMICAL CORP
申请人地址
IPC主分类号
C08K9/06
IPC分类号
C09C3/10 C08L101/00 C09D17/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
低誘電正接シリカ粒子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025156151A ,2025-10-14
[3]
低誘電率高分子基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024546117A ,2024-12-17
[4]
高分子ゲル及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6135896B2 ,2017-05-31
[5]
高分子ゲル及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5850417B2 ,2016-02-03
[6]
高分子ゲル及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6608160B2 ,2019-11-20
[7]
高分子ゲル及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6414193B2 ,2018-10-31
[8]
高分子ゲル及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6155079B2 ,2017-06-28
[9]
シリカゾルの製造方法およびシリカゾル[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025153117A ,2025-10-10
[10]
シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015087965A1 ,2017-03-16