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高分子被覆した低誘電正接シリカゾル及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220110580
申请日
:
2022-07-08
公开(公告)号
:
JP2024008588A
公开(公告)日
:
2024-01-19
发明(设计)人
:
EBARA KAZUYA
NAKADA TAKESHI
TADOKORO SHINSUKE
申请人
:
NISSAN CHEMICAL CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08K9/06
IPC分类号
:
C09C3/10
C08L101/00
C09D17/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
低誘電正接シリカゾル及び低誘電正接シリカゾルの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7339613B1
,2023-09-06
[2]
低誘電正接シリカ粒子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025156151A
,2025-10-14
[3]
低誘電率高分子基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024546117A
,2024-12-17
[4]
高分子ゲル及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6135896B2
,2017-05-31
[5]
高分子ゲル及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5850417B2
,2016-02-03
[6]
高分子ゲル及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6608160B2
,2019-11-20
[7]
高分子ゲル及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6414193B2
,2018-10-31
[8]
高分子ゲル及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6155079B2
,2017-06-28
[9]
シリカゾルの製造方法およびシリカゾル[ja]
[P].
日本专利
:JP2025153117A
,2025-10-10
[10]
シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015087965A1
,2017-03-16
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