多孔質酸化物半導体粒子[ja]

被引：0

申请号：

JP20200188847

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

JP7504542B2

公开(公告)日：

2024-06-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C01G19/02

IPC分类号：

C01F7/021 C01G30/00 C01G33/00 C01G35/00 C01G41/00 H01M4/86 H01M8/10

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共 50 条

[1]

多孔質酸化物半導体粒子[ja] [P].

INABA MASANORI ;

KODAMA KENSAKU ;

NOBUKAWA KEN .

日本专利 :JP2024053489A ,2024-04-15

[2]

酸化物半導体[ja] [P].

日本专利 :JP6665536B2 ,2020-03-13

[3]

酸化物半導体[ja] [P].

日本专利 :JP6562321B2 ,2019-08-21

[4]

酸化物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017069022A1 ,2018-07-19

[5]

酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2025146796A ,2025-10-03

[6]

酸化物半導体層、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6246254B2 ,2017-12-13

[7]

疎水性多孔質酸化物粒子及び多孔質酸化物粒子の疎水化方法[ja] [P].

日本专利 :JP5692690B2 ,2015-04-01

[8]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP6420968B2 ,2018-11-07

[9]

酸化物半導体膜[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

SAKAKURA MASAYUKI ;

MIYANAGA SHOJI ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

HIROHASHI TAKUYA ;

SHIMAZU TAKASHI .

日本专利 :JP2025107465A ,2025-07-17

[10]

酸化物半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012014628A1 ,2013-09-12

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