半導体装置およびその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20230065681
申请日
2023-04-13
公开(公告)号
JP2024151890A
公开(公告)日
2024-10-25
发明(设计)人
YAMAGUCHI SUNAO
申请人
RENESAS ELECTRONICS CORP
申请人地址
IPC主分类号
H10B51/30
IPC分类号
H01L21/285 H01L21/336 H01L29/423
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011121738A1 ,2013-07-04
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025162327A ,2025-10-27
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013035173A1 ,2015-03-23
[4]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047118A1 ,2012-03-22
[5]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
OZAWA KODAI ;
NAKANISHI SHO .
日本专利 :JP2023173191A ,2023-12-07
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7513219B1 ,2024-07-09
[7]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
YAMAGUCHI SUNAO .
日本专利 :JP2025105242A ,2025-07-10
[8]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016075791A1 ,2017-08-24
[9]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025141560A ,2025-09-29
[10]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
KAMEOKA HIROSHI .
日本专利 :JP2024101286A ,2024-07-29