多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110411361.5
申请日
2021-04-16
公开(公告)号
CN113515095B
公开(公告)日
2024-10-25
发明(设计)人
王松涛
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
G05B19/418
IPC分类号
H01L21/67
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;王婷
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备 [P]. 
王松涛 .
中国专利 :CN113515095A ,2021-10-19
[2]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
刘学庆 .
中国专利 :CN114281120B ,2024-03-26
[3]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
刘学庆 .
中国专利 :CN114281120A ,2022-04-05
[4]
半导体工艺设备的压力控制装置及半导体工艺设备 [P]. 
闫士泉 ;
方洋 ;
袁和传 ;
陈建升 .
中国专利 :CN218471897U ,2023-02-10
[5]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
田西强 .
中国专利 :CN112813419A ,2021-05-18
[6]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
刘胜明 ;
郑波 ;
荣延栋 .
中国专利 :CN113241312A ,2021-08-10
[7]
半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
刘胜明 ;
郑波 ;
荣延栋 .
中国专利 :CN113241312B ,2025-07-29
[8]
反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
吴昊 .
中国专利 :CN114706431A ,2022-07-05
[9]
反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备 [P]. 
郑文宁 ;
赵迪 ;
吴昊 .
中国专利 :CN114706431B ,2025-03-25
[10]
半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P]. 
王福金 ;
蔡志辉 .
中国专利 :CN216738518U ,2022-06-14