反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210319844.7

申请日：

2022-03-29

公开(公告)号：

CN114706431B

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

郑文宁赵迪吴昊

申请人：

北京华丞电子有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号院1号楼4层4S01

IPC主分类号：

G05D16/20

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权
2024-09-13	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G05D 16/20变更事项:申请人变更前:北京七星华创流量计有限公司变更后:北京华丞电子有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号1幢506室变更后:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号院1号楼4层4S01

共 50 条

[1]

反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备 [P].

郑文宁 ;

赵迪 ;

吴昊 .

中国专利 :CN114706431A ,2022-07-05

[2]

多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备 [P].

王松涛 .

中国专利 :CN113515095A ,2021-10-19

[3]

多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备 [P].

王松涛 .

中国专利 :CN113515095B ,2024-10-25

[4]

半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P].

周广才 ;

刘学庆 .

中国专利 :CN114281120B ,2024-03-26

[5]

半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P].

周广才 ;

刘学庆 .

中国专利 :CN114281120A ,2022-04-05

[6]

反应腔室和半导体工艺设备 [P].

何中凯 .

中国专利 :CN112553594A ,2021-03-26

[7]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

王福金 ;

蔡志辉 .

中国专利 :CN216738518U ,2022-06-14

[8]

半导体工艺设备的压力控制装置及半导体工艺设备 [P].

闫士泉 ;

方洋 ;

袁和传 ;

陈建升 .

中国专利 :CN218471897U ,2023-02-10

[9]

压力控制方法、压力控制装置及半导体工艺设备 [P].

郑文宁 ;

赵迪 ;

王蒙 .

中国专利 :CN113110632A ,2021-07-13

[10]

半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P].

成航航 ;

林源为 .

中国专利 :CN213691989U ,2021-07-13

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