一种多晶金刚石基异质外延氧化镓薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411123206.3

申请日：

2024-08-15

公开(公告)号：

CN119082853A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

宁静张亚宁张进成武海迪白玲杨芷纯王东马佩军郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C30B23/02

IPC分类号：

C30B29/16 C23C14/35 C23C14/08

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王海栋

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/02申请日:20240815

共 50 条

[1]

异质外延金刚石及其制备方法 [P].

郁万成 ;

金鹏 ;

张烨 ;

王占国 .

中国专利 :CN106835274A ,2017-06-13

[2]

一种在金刚石表面异质外延的氧化镓及其制备方法 [P].

周亮 ;

王兵 ;

喻礼海 .

中国专利 :CN119877099A ,2025-04-25

[3]

一种CVD多晶金刚石薄膜异质外延衬底结构 [P].

冯建伟 .

中国专利 :CN220665510U ,2024-03-26

[4]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592A ,2022-06-17

[5]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592B ,2025-08-29

[6]

基于低损伤剥离的金刚石基氧化镓外延薄膜生长方法 [P].

何云龙 ;

陆小力 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119694888A ,2025-03-25

[7]

一种异质外延金刚石薄膜及其制备方法和应用 [P].

吴国光 ;

朱剑锋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN119108264A ,2024-12-10

[8]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059A ,2024-10-29

[9]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059B ,2024-12-06

[10]

金刚石基ScAlN/氮化镓异质结构及其制备方法 [P].

吴畅 ;

何琦 ;

邢邵琨 ;

周瑞 ;

刘安 .

中国专利 :CN120835602A ,2025-10-24

← 1 2 3 4 5 →