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一种在金刚石表面异质外延的氧化镓及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510126686.7
申请日
:
2025-01-27
公开(公告)号
:
CN119877099A
公开(公告)日
:
2025-04-25
发明(设计)人
:
周亮
王兵
喻礼海
申请人
:
威刚(北京)汽车有限公司
申请人地址
:
102604 北京市大兴区礼贤镇元平北路1号自贸试验区大兴机场片区自贸创新服务中心W8幢1层0164号
IPC主分类号
:
C30B25/18
IPC分类号
:
H01L21/02
H10D62/10
H10D62/83
H10D62/80
C30B29/16
C30B25/16
C30B29/04
C30B25/00
代理机构
:
北京千壹知识产权代理事务所(普通合伙) 11940
代理人
:
窦艳鹏
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-25
公开
公开
2025-05-13
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20250127
共 50 条
[1]
一种多晶金刚石基异质外延氧化镓薄膜及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
宁静
;
张亚宁
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0
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0
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0
机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
张亚宁
;
论文数:
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机构:
张进成
;
论文数:
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机构:
武海迪
;
论文数:
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机构:
白玲
;
杨芷纯
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0
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0
机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
杨芷纯
;
论文数:
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机构:
王东
;
论文数:
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机构:
马佩军
;
论文数:
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机构:
郝跃
.
中国专利
:CN119082853A
,2024-12-06
[2]
异质外延金刚石及其制备方法
[P].
郁万成
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郁万成
;
金鹏
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金鹏
;
张烨
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0
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张烨
;
王占国
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0
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0
王占国
.
中国专利
:CN106835274A
,2017-06-13
[3]
金刚石和形成金刚石的异质外延方法
[P].
J·P·西拉尔多
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0
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0
J·P·西拉尔多
;
J·莱文-迈尔斯
论文数:
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0
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J·莱文-迈尔斯
.
中国专利
:CN111051257B
,2020-04-21
[4]
一种异质外延金刚石薄膜及其制备方法和应用
[P].
论文数:
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机构:
吴国光
;
论文数:
引用数:
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机构:
朱剑锋
;
论文数:
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机构:
张宝林
.
中国专利
:CN119108264A
,2024-12-10
[5]
一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法
[P].
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机构:
张召富
;
程春敏
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0
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
程春敏
;
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机构:
郭宇铮
;
吴改
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武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
吴改
;
梁康
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
梁康
;
沈威
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
沈威
;
汪启军
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
汪启军
;
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机构:
孙祥
.
中国专利
:CN119517182A
,2025-02-25
[6]
一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
张召富
;
程春敏
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0
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
程春敏
;
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机构:
郭宇铮
;
吴改
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
吴改
;
梁康
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
梁康
;
沈威
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
沈威
;
汪启军
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0
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机构:
武汉大学深圳研究院
武汉大学深圳研究院
汪启军
;
论文数:
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机构:
孙祥
.
中国专利
:CN119517182B
,2025-11-18
[7]
一种氮化镓外延金刚石结构及其制备方法
[P].
陈祺
论文数:
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陈祺
;
张粉红
论文数:
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0
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张粉红
.
中国专利
:CN115377193A
,2022-11-22
[8]
一种氧化镓异质外延衬底及其制备方法
[P].
杨世凌
论文数:
0
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0
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨世凌
;
论文数:
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机构:
张逸韵
;
论文数:
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机构:
姚然
;
论文数:
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机构:
杨华
;
论文数:
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机构:
伊晓燕
;
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机构:
王军喜
.
中国专利
:CN120199682A
,2025-06-24
[9]
金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法
[P].
李晓茜
论文数:
0
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机构:
西安电子科技大学杭州研究院
西安电子科技大学杭州研究院
李晓茜
;
周洋
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机构:
西安电子科技大学杭州研究院
西安电子科技大学杭州研究院
周洋
;
王迪
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机构:
西安电子科技大学杭州研究院
西安电子科技大学杭州研究院
王迪
;
韩根全
论文数:
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机构:
西安电子科技大学杭州研究院
西安电子科技大学杭州研究院
韩根全
.
中国专利
:CN120916502A
,2025-11-07
[10]
氧化镓异质外延薄膜的制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
张海
;
牛鼎元
论文数:
0
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机构:
内蒙古工业大学
内蒙古工业大学
牛鼎元
;
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机构:
赵学平
;
论文数:
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机构:
崔晓明
;
杨俊彪
论文数:
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机构:
内蒙古工业大学
内蒙古工业大学
杨俊彪
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘全龙
.
中国专利
:CN118867059A
,2024-10-29
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