半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110125689.0
申请日
2021-01-29
公开(公告)号
CN114823675B
公开(公告)日
2024-12-06
发明(设计)人
刘志拯
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN114823675A ,2022-07-29
[2]
半导体器件、半导体器件的制备方法及射频开关器件 [P]. 
张旭 ;
周强 ;
李海艇 ;
李佳俊 .
中国专利 :CN119584586A ,2025-03-07
[3]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[4]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[5]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208923146U ,2019-05-31
[6]
半导体器件 [P]. 
冯立伟 ;
张钦福 ;
许艺蓉 .
中国专利 :CN223142391U ,2025-07-22
[7]
半导体器件 [P]. 
陈面国 .
中国专利 :CN208738245U ,2019-04-12
[8]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110890421A ,2020-03-17
[9]
半导体器件 [P]. 
陈面国 .
中国专利 :CN110943078A ,2020-03-31
[10]
半导体器件 [P]. 
周文婷 ;
段淑卿 ;
凌翔 ;
高金德 .
中国专利 :CN113327912A ,2021-08-31